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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊
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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

SCIE

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》创刊于2001年，是一本工程技术国际学术期刊，出版语言为English，年发文量72。预计审稿周期约 较慢,6-12周 ，近三年曾被列入预警期刊名单。

中科院 3区
JCR Q2
Citescore 4.8
TOP期刊 否
ISSN: 1530-4388
出版地区: UNITED STATES
E-ISSN: 1558-2574
出版周期: Quarterly
出版商: Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
创刊时间: 2001年
国际简称: IEEE T DEVICE MAT RE
出版语言: English
研究方向: 工程技术-工程：电子与电气
中文名称: IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability杂志简介

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版社出版，是工程：电子与电气领域的国际权威期刊。自2001年创刊以来，该刊始终致力于发表工程技术领域的原创性、前瞻性研究成果，尤其关注工程技术领域的理论、政策与实践。该刊被SCIE数据库收录，在JCR学科，按JIF指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q2区；“PHYSICS, APPLIED”中位于Q2区；按JCI指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q3区；“PHYSICS, APPLIED”中位于Q3区；中国科学院期刊分区为大类工程技术3区，小类工程：电子与电气3区。此外，在CiteScore学科分类中，该刊在“Safety, Risk, Reliability and Quality”小类中位列Q2区，排名65 / 207，显示出在工程：电子与电气领域的突出影响力。

作为一本非开放获取期刊，《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》2023年发文量在72篇，研究类论文占比为97.22%。期刊最新影响因子为2.5 ，CiteScore为4.8，学术影响力持续稳健。该刊面向全球研究者，为探讨工程：电子与电气领域提供了高水平的学术交流平台。

WOS期刊JCR分区（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%
PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%
PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

CiteScore（2025年最新版）

CiteScore数据趋势图

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.436
  • SNIP：1.148
学科 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability中国科学院期刊分区

中国科学院期刊分区趋势图

中国科学院期刊分区 （2023年12月升级版）

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区
否 否

中国科学院期刊分区 （2022年12月升级版）

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区
否 否

中国科学院期刊分区 （2021年12月旧的升级版）

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
3区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用
3区 3区
否 否

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability高引用文章

  • A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device

    引用次数：23

  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation

    引用次数：9

  • Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling

    引用次数：9

  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells

    引用次数：8

  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability

    引用次数：7

  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor

    引用次数：7

  • Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects

    引用次数：6

  • Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories

    引用次数：6

  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications

    引用次数：6

  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor

    引用次数：6

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability学术指标

年份 影响因子 年发文量 引文指标 自引率 CiteScore
2023 2.5 - 72 - 0.52 - 4 - 4.8 -
2022 2 - 56 - 0.46 - 5 - 4.3 -
2021 1.886 - 80 - 0.46 - 6.9 - 3.9 -
2020 1.761 - 92 - 0.42 - 6.6 - 3.5 -
2019 1.407 - 101 - 0.44 - 8 - 3.3 -
2018 1.583 - 79 - 0.45 - 4.7 - 2.9 -

国家/地区发文量

国家/地区 发文量
USA 52
CHINA MAINLAND 51
India 50
Taiwan 35
France 20
Italy 18
Belgium 15
Austria 14
Japan 13
GERMANY (FED REP GER) 12

机构发文量统计

机构 发文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM) 23
IMEC 15
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS) 14
STMICROELECTRONICS 10
TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY 8
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY 8
COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES 7
GLOBALFOUNDRIES 7
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
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