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Microelectronics Reliability期刊
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Microelectronics Reliability

SCIE

《Microelectronics Reliability》创刊于1964年,是一本工程技术国际学术期刊,出版语言为English,年发文量310。预计审稿周期约 较快,2-4周 约8.3周,近三年曾被列入预警期刊名单。

中科院 4区
JCR Q3
Citescore 3.3
TOP期刊
ISSN: 0026-2714
出版地区: ENGLAND
E-ISSN: 1872-941X
出版周期: Monthly
出版商: Elsevier Ltd
创刊时间: 1964年
国际简称: MICROELECTRON RELIAB
出版语言: English
研究方向: 工程技术-工程:电子与电气
中文名称: 微电子可靠性

Microelectronics Reliability杂志简介

《Microelectronics Reliability》由Elsevier Ltd出版社出版,是工程:电子与电气领域的国际权威期刊。自1964年创刊以来,该刊始终致力于发表工程技术领域的原创性、前瞻性研究成果,尤其关注工程技术领域的理论、政策与实践。该刊被SCIE数据库收录,在JCR学科,按JIF指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q3区;“NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY”中位于Q4区;“PHYSICS, APPLIED”中位于Q3区;按JCI指标学科分区学科“ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC”中位于Q4区;“NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY”中位于Q4区;“PHYSICS, APPLIED”中位于Q4区;中国科学院期刊分区为大类工程技术4区,小类工程:电子与电气4区。此外,在CiteScore学科分类中,该刊在“Safety, Risk, Reliability and Quality”小类中位列Q2区,排名83 / 207,显示出在工程:电子与电气领域的突出影响力。

作为一本非开放获取期刊,《Microelectronics Reliability》2023年发文量在310篇,研究类论文占比为98.39%。期刊最新影响因子为1.6 ,CiteScore为3.3,学术影响力持续稳健。该刊面向全球研究者,为探讨工程:电子与电气领域提供了高水平的学术交流平台。

WOS期刊JCR分区(2023-2024年最新版)

按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352

32.2%

NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140

19.6%

PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179

27.1%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354

23.31%

NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140

18.93%

PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07%

CiteScore(2025年最新版)

CiteScore数据趋势图

  • CiteScore:3.3
  • SJR:0.394
  • SNIP:0.801
学科 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207

60%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797

50%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224

47%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434

47%

大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132

44%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284

43%

Microelectronics Reliability中国科学院期刊分区

中国科学院期刊分区趋势图

中国科学院期刊分区 (2023年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

中国科学院期刊分区 (2022年12月升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

中国科学院期刊分区 (2021年12月旧的升级版)

大类学科 小类学科 Top期刊 综述期刊
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用
4区 4区 4区

Microelectronics Reliability高引用文章

  • Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI

    引用次数:25

  • An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction

    引用次数:25

  • Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs

    引用次数:21

  • Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence

    引用次数:16

  • Controversial issues in negative bias temperature instability

    引用次数:13

  • An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes

    引用次数:13

  • A review of NBTI mechanisms and models

    引用次数:12

  • New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs

    引用次数:12

  • Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs

    引用次数:11

  • Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices

    引用次数:10

Microelectronics Reliability学术指标

年份 影响因子 年发文量 引文指标 自引率 CiteScore
2023 1.6 - 310 - 0.3 - 12.5 - 3.3 -
2022 1.6 - 329 - 0.28 - 12.5 - 2.8 -
2021 1.418 - 355 - 0.31 - 14.3 - 3.5 -
2020 1.589 - 344 - - 15.7 - 3.6 -
2019 1.535 - 316 - - 12.1 - 3.1 -
2018 1.483 - 526 - - 19.7 - 2.6 -
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